metal gate 文章 最新资讯
Vishay推出5W小型1206封装Power Metal Strip电阻器
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面贴装Power Metal Strip® 检流电阻---WSLF1206，采用小型1206封装，额定功率高达5 W，TCR低至 ± 75 ppm/°C，以及低至0.3 mΩ的极低电阻值。Vishay Dale WSLF1206额定功率是1206封装尺寸标准电阻的20倍，功率密度 > 650 W/in2，设计师得以使用尽可能小的电阻，且无需并联电阻，从而节省高功率电路板的空间。器件温度系数（TCR）低，可在 -65
- 关键字： Vishay Power Metal Strip 电阻器
基于 Richtek RT7083GQW MCU+Gate Driver 54W-BLDC壁挂炉热风机解决方案
- 近年来，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自动驾驶”等时髦的词汇，大家的注意力也都集中在这些领域，但其实，有一个已经真正落地，大部分人都还没注意到的应用——直流无刷电机（BLDC）市场正在悄然兴起，而且成长迅速。根据市场公开的资料，2018年全球无刷直流电机的市场规模为153.6亿美元，乐观的市场研究机构预计未来五年，市场将会以13%的年复合增长率持续增长；当然也有机构认为年复合增长率会在6.5%左右。但不论是6.5%，还是13%的增长率，这个市场都非常值得期待。由于BLDC本身可以节约能源，
- 关键字： Richtek RT7083GQW MCU Gate Driver 壁挂炉热风机
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革
- 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core Tr
- 关键字： SK海力士 High-k Metal Gate
Vishay推出的新款高精度电池分流器改进RTC性能
- 器件带两个插针检流引脚，阻值低至100 µΩ，额定功率达36 W
- 关键字： 电源 Power Metal Strip® Vishay Intertechnology Inc
高速数传中定时同步设计与FPGA实现
- 摘要 文中对适用于高速突发通信的基于数字滤波平方的定时同步算法进行了研究。通过对在高速数据传输通信中，该定时同步环路的定时误差估计模块进行并行结构实现，大幅降低了系统对于时钟的要求，且更加易于实现;将文
- 关键字： 高速突发通信 定时同步 定时控制 Field Programmable Gate Array
乔布斯设计的glass-on-metal触控板专利获批
- 1月16日消息，据国外媒体报道，苹果周二获得一项新的设计专利，专利内容与其MacBook系列产品的一体化铝制外壳上配备的玻璃触控板的设计有关。 这项美国专利的专利号为D674382，专利名称为“便携式计算机”。据这项专利的说明文件称，它属于对便携式计算机的装饰性设计，它的发明者是苹果联合创始人乔布斯(Steve Jobs)和首席设计师乔尼艾维(Jony Ive)。 实际上，这项专利的获批历程并不顺利。在专利获批之前，苹果曾经多次提出申请，最早提出申请的时间是2008
- 关键字： 苹果 glass-on-metal
Vishay推出新款Power Metal Strip电阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip 电阻--- WSLP2726和WSLP4026，该电阻兼具5W～7W的高功率等级和0.5mΩ的极低阻值。器件采用4接头设计，可实现1.0%的稳定电阻容差。
- 关键字： Vishay 电阻 Power Metal Strip
Vishay帮助客户进一步了解Vishay Dale电阻技术的先进性
- Vishay在官方网站上发布Power Metal Strip®分流电阻如何应用在定制产品中的解决方案的视频介绍 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为帮助客户了解如何将Vishay Dale电阻技术用于定制产品，满足特定用户的需求，Vishay在其网站(http://www.vishay.com)新增加了一个介绍Power Metal Stri
- 关键字： Vishay Power Metal Strip 分流电阻
Vishay推出Bulk Metal箔电阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基准、密封充油的Bulk Metal®箔电阻 --- H和HZ系列，在精度、稳定性和速度上都设定了新的行业基准。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范围，在至少6年内(未受潮)的工厂寿命稳定率可达2ppm(±0.0002%)，上升时间小于1ns。H系列的最大TCR为±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR仅有&plus
- 关键字： Vishay 箔电阻 Bulk Metal
特许半导体四季度上马32nm工艺 明年转入28nm
- 新加坡特许半导体计划在今年第四季度推出32nm制造工艺，明年上半年再进一步转入28nm。 特许半导体很可能会在明天的技术论坛上公布32nm SOI工艺生产线的试运行计划，并披露28nm Bulk CMOS工艺路线图，另外45/40nm LP低功耗工艺也已就绪。 特许的28nm工艺并非独立研发，而是在其所处的IBM技术联盟中获取的，将会使用高K金属栅极(HKMG)技术以及Gate-first技术(Intel是Gate-last的坚定支持者)。 特许半导体2009年技术论坛将在台湾新竹市
- 关键字： 特许半导体 32nm 28nm Gate-first
Vishay 推出首款 Power Metal Strip 电阻
- 宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 2 月 13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出两款高性能表面贴装 Power Metal Strip® 电阻，这两款电阻是业界率先采用 3921 及 5931 封装尺寸且工作温度范围介于 –65°C～+275°C 的此类器件。 新型 WSLT3921 及WSLT5931器件的专有结构将固体金属铁铬合金电阻元件与低 TC
- 关键字： Vishay Power Metal Strip 电阻
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